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J-GLOBAL ID：200903011809620724

半導体装置

Inventor： 佐川 みすず ,  井上 宏明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992092582
Publication number (International publication number)：1993291684
Application date： Apr. 13, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】高度に集積化された光集積回路または光電気集積回路を得ることを目的とする。【構成】本構造は、GaAs基板上、一方の面上にMBE法によりn型のGaAsとAlAsの超格子により形成されたブラッグ反射鏡6,n-AlGaAsクラッド層,InGaAs歪活性層,p-AlGaAsクラッド層,p型のGaAsとAlAsの超格子により形成されたブラッグ反射鏡10より構成された垂直共振器型半導体レーザ及び電子集積回路,他方の面上に、MBE法によりn-InGaAs層,p-InGaAs層により構成された裏面入射型受光素子,電子集積回路を有する。【効果】半導体基板上両面にエピタキシャル成長により素子を作製し、異なる平面上の素子間の信号のやり取りを光により行うことにより、高集積度された光電子集積回路,光集積回路,電子集積回路で素子間の接続が複雑化されたときに素子間の相互接続が容易になり、集積回路設計の自由度が上がった。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、上記半導体基板の表裏両面に少なくとも1層以上の半導体層をエピタキシャル成長させることにより形成した素子とから成り、上記半導体基板を光導波路として用いることを特徴とする半導体装置。