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J-GLOBAL ID：200903011812829316

半導体装置の製造方法

Inventor： 八木下 淳史 ,  高東 宏
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992190995
Publication number (International publication number)：1994037178
Application date： Jul. 17, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、素子間分離が完全でかつ占有面積が小さく、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板1の表面に所定の間口幅の開口部を有するマスクパターンを形成する工程と、半導体基板1をエッチングすることにより溝6を形成する工程と、上記開口部の間口幅を拡大する工程と、少なくとも溝6の内壁に接する面が絶縁物7である埋め込み材料8を溝6および上記開口部に埋め込む工程と、上記マスクパターンを除去することにより埋め込み材料8からなる溝6の蓋体を形成する工程とからなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板表面に所定の間口幅の開口部を有するマスクパターンを形成する工程と、前記半導体基板をエッチングすることにより溝を形成する工程と、前記開口部の間口幅を拡大する工程と、少なくとも前記溝の内壁に接する面が絶縁物である埋め込み材料を前記溝および前記開口部に埋め込む工程と、前記マスクパターンを除去することにより前記埋め込み材料からなる前記溝の蓋体を形成する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-280451
  
• 特開平4-320354
  
• 特開平4-045558
  
• 特開昭61-137338
  
• 特開平3-101147