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J-GLOBAL ID：200903011825576425
不純物原子の導入方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
松田 正道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991256821
Publication number (International publication number)：1994020982
Application date： Oct. 04, 1991
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 ダイヤモンド、BN、SiC又は有機物半導体に不純物原子を導入する方法を提供する。【構成】 不純物となる粒子を加速して、エネルギーを持たせて、ダイヤモンド、BN、SiC、又は有機物半導体材料に照射することである。また、ダイヤモンド、BN、SiC又は有機物半導体材料に、加速した粒子を照射後に水素ラジカル又は水素イオンを含む雰囲気に晒すことである。
Claim (excerpt)：
ダイヤモンド、BN、SiC又は有機物半導体の材料に、加速された粒子を照射することによってその粒子を前記材料に導入することを特徴とする不純物原子の導入方法。
IPC (4)：
H01L 21/265
, C01B 21/064
, C01B 31/06
, C23C 8/36
