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J-GLOBAL ID：200903011831245759

半導体装置の製造方法

Inventor： 西村 宏 ,  山田 達也 ,  小川 真一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 森本 義弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992161549
Publication number (International publication number)：1994005712
Application date： Jun. 22, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は半導体装置の製造方法に関するもので、配線間の短絡を生じることがなく、かつ高い信頼性を有する、接続孔における配線を提供する。【構成】 半導体基板20上に被着した絶縁膜25に接続孔26を設け、絶縁膜25上および接続孔26にそれぞれ配線27,28を形成し、配線27,28間に、別に絶縁膜29を埋め込み、少なくとも配線28を加熱することにより接続孔26内の配線28を流動させて埋め込む。【効果】 配線の横方向への流動が絶縁膜により抑制されて、配線間の短絡が防止され、高い歩留を有する半導体装置の製造が可能となる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に被着した絶縁膜に接続孔を設ける工程と、前記絶縁膜上および前記接続孔にそれぞれ配線を形成する工程と、前記配線間に、前記絶縁膜とは別に絶縁膜を埋め込む工程と、少なくとも前記接続孔内の配線を加熱することにより前記接続孔内の配線を流動させて埋め込む工程とを備えた半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 N