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J-GLOBAL ID：200903011839891927

半導体装置の製造方法

Inventor： 服部 弘美 ,  山崎 治 ,  福島 信教
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992017970
Publication number (International publication number)：1993218035
Application date： Feb. 04, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【構成】 Si基板1上のSiO2膜(BPSG)2上にスパッタリング法で厚さ100nmのRuO2膜4を形成した後、スパッタリング法で厚さ300nmのCu膜3を堆積し、次に、スパッタリング法で厚さ100nmのRuO2膜4を形成する。続いて、この積層膜(RuO2膜-Cu膜-RuO2膜)をパターニングして配線を形成する。【効果】 SiO2中へのCuの拡散が抑制でき、密着性が向上し、高信頼性、かつ低抵抗配線が形成できる。

Claim (excerpt)：

Cu配線のバリアメタルとしてRuO2をCuの下にスパッタリング法またはCVD法により堆積し、配線を形成することを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/3205 ,  C01G 55/00 ,  C23C 14/16 ,  C30B 25/06 ,  H01L 21/28 301