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J-GLOBAL ID：200903011850318775

半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： 吉田 誠 ,  熊内 隆宏 ,  只木 ▲芳▼▲隆▼ ,  梶谷 一彦 ,  青木 英雄 ,  浅野 勇
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996137957
Publication number (International publication number)：1997321247
Application date： May. 31, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 MISFETを有する半導体集積回路装置の製造プロセスにおける熱処理工程を低減する。【解決手段】 MISFETを形成した後の工程で半導体基板上に堆積するすべての導電膜を500°C以下の温度で堆積する。また、MISFETを形成した後の工程で半導体基板上に堆積するすべての絶縁膜を500°C以下の温度で堆積する。

Claim (excerpt)：

MISFETを有する半導体集積回路装置の製造方法であって、MISFETを形成した後の工程で半導体基板上に堆積するすべての導電膜を500°C以下の温度で堆積することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (6)：

H01L 27/10 681 F ,  H01L 21/28 Z ,  H01L 21/88 Z ,  H01L 27/08 321 K ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 681 B