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J-GLOBAL ID：200903011854659674

無機誘電体薄膜の製造方法

Inventor： 田畑 仁 ,  村田 修 ,  藤岡 順三 ,  南方 俊一 ,  川合 知二 ,  河合 七雄
Applicant, Patent owner： 川崎重工業株式会社
Agent (1)： 西森 正博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991245292
Publication number (International publication number)：1993070103
Application date： Jun. 18, 1991
Publication date： Mar. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 レーザビーム蒸着法による無機誘電体薄膜の製造方法において、ターゲット元素間での平衡蒸気圧の差によって組成ずれが生じるのを防止すると共に、成膜条件の低温化を図る。【構成】 0.06Torr以上の酸素雰囲気下で成膜を行う。また成膜物質がPbTiO3である場合に、基板物質をSrTiO3にするというように両物質の格子定数を近接させる。

Claim (excerpt)：

高融点金属と低融点金属との複合酸化物より成る無機誘電体薄膜を基板上に形成するための無機誘電体薄膜の製造方法において、生成した励起種等を利用した蒸着法により、0.06Torr以上の酸素雰囲気下で成膜を行うことを特徴とする無機誘電体薄膜の製造方法。

IPC (7)：

C01B 13/14 ,  C01G 23/00 ,  C01G 25/00 ,  C23C 14/28 ,  C23C 14/35 ,  C23C 14/54 ,  C23C 16/40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平1-252506
  
• 特開平2-017685