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J-GLOBAL ID：200903011864025754

フッ化カルシウム単結晶の製造方法、フッ化カルシウム単結晶

Inventor： 塩澤 正樹
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000346206
Publication number (International publication number)：2002154897
Application date： Nov. 14, 2000
Publication date： May. 28, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 従来のフッ化カルシウム結晶を光学材料としてF2レーザを光源とした光リソグラフィー装置を製造しようと試みても、鉛に起因する吸収がF2レーザの波長において影響が大きく、光リソグラフィー装置が実現できない。【解決手段】 フッ化カルシウム粉体にフッ化鉛粉体を添加して混合する第一処理工程、真空雰囲気下で、特定温度に保持する第2処理工程、真空雰囲気下、特定温度下で揮発反応を起こさせる第3処理工程、次に融解して単結晶化させる。含有する鉛濃度が0.1ppm以下、波長153.4nmの光に対する透過損失が0.5%/cm以下、波長157.6nmの光に対する透過損失を0.3%/cm以下である真空紫外光学用フッ化カルシウム単結晶を提供する

Claim (excerpt)：

フッ化カルシウム単結晶の製造方法において、室温大気圧下でフッ化カルシウム粉体にフッ化鉛粉体を添加し混合することで混合粉体を作る第一の処理工程と、真空雰囲気下で前記混合粉体を、特定の温度範囲に保持することでフッ素化反応を進行させ中間原料体を作る第二の処理工程と、真空雰囲気下で前記中間原料体を、特定の温度範囲に保持することで揮発反応を進行させ原料体を作る第三の処理工程と、を含み、真空雰囲気下で、前記原料体を前記フッ化カルシウムの融点以上の温度で融解して融液とした後、単結晶化して製造することを特徴とするフッ化カルシウム単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/12 ,  C30B 11/04 ,  G02B 1/02

FI (3)：

C30B 29/12 ,  C30B 11/04 ,  G02B 1/02

F-Term (7)：

4G077AA02 ,  4G077BE02 ,  4G077CD02 ,  4G077EC02 ,  4G077HA01 ,  4G077MB04 ,  4G077MB33