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J-GLOBAL ID：200903011871956801
真空成膜方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
下田 容一郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992264192
Publication number (International publication number)：1994088216
Application date： Sep. 07, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：
【要約】【目的】 光学特性及び耐久性に優れたTiO2 膜を高速で成膜する。【構成】 Ti金属7を口径φ50mm以上、深さ20mm以上のハース4に充填し、プラズマ源3から発生したプラズマ流を水平、垂直磁場の交点Oで20ガウス以上35ガウス以下に設定し合成磁場によってハース4に導いてTi金属7を蒸発させ、ノズル8からO2を導入して成膜時のO2分圧を20mtorr以下に設定して、上方に位置する基板10にTiO2膜を成膜する。
Claim (excerpt)：
蒸発材料としてTi金属をハースに充填し、プラズマ源から発生したプラズマ流を水平磁場と垂直磁場の合成磁場によって前記ハースに導いて前記蒸発材料を蒸発させて上方に位置する基板にTiO2膜を真空成膜する真空成膜方法。
IPC (2)：
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