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J-GLOBAL ID：200903011883664415

容量装置およびその製造方法

Inventor： 嶋田 恭博 ,  松田 明浩 ,  那須 徹 ,  木部 真樹 ,  藤井 英治
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992153256
Publication number (International publication number)：1993343254
Application date： Jun. 12, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 容量装置のリーク電流を減少させ絶縁破壊電圧を高くする。【構成】 支持基板1の一主面に形成した第1のTiN膜2と、その上に形成した(BaxSr1-x)TiO3 膜3と、その上に第1のTiN膜2と接触することなく形成された第2のTiN膜6とからなり、(BaxSr1-x)TiO3 膜3と第1のTiN膜2との界面および第2のTiN膜6との界面のいずれか一方に非晶質層5が形成されている。

Claim (excerpt)：

支持基板の一主面に形成した第1の金属膜と、前記第1の金属膜の上に形成した強誘電体薄膜と、前記強誘電体薄膜の上に前記第1の金属膜と接触することなく形成された第2の金属膜とからなり、前記強電体薄膜の第1の金属膜との界面および第2の金属膜との界面のいずれか一方に非晶質層が形成されている容量装置。

IPC (3)：

H01G 4/06 102 ,  H01G 4/30 301 ,  H01L 27/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-315124
  
• 特開平4-051407
  
• 特開平3-038008