Pat

J-GLOBAL ID：200903011898338280

加速度センサーおよびその製造方法

Inventor： 長田 俊彦
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991213308
Publication number (International publication number)：1993119056
Application date： Aug. 26, 1991
Publication date： May. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、シリコン等の半導体材料によって形成される加速度センサーに関し、完熟した半導体精密加工技術を適用することができ、加工精度が高い加速度センサーを提供することを目的とする。【構成】 加速度によって変位する加速度感知質量部13と、弾性変形する歪み感知部12と、この加速度感知質量部13が過剰加速度に応答して過大に変位して破損するのを防ぐために加速度感知質量部13の移動を制限する機構14が半導体材料によって一体に形成され、かつ、この加速度感知質量部13の移動を制限する機構14が、この加速度感知質量部13と歪み感知部12を形成する工程によって構成されている。この場合、加速度感知質量部13の移動を制限する機構14を、SOI基板を構成する第1基板19の先端と、第2基板20の凸部141 、142 、143 との間の間隔を有する嵌合機構によって構成されている。

Claim (excerpt)：

加速度感知質量部と、弾性変形する歪み感知部と、該加速度感知質量部が過剰加速度に応答して過大に変位して破損するのを防ぐために加速度感知質量の移動を制限する機構が半導体材料によって一体に形成され、かつ、該加速度感知質量の移動を制限する機構が、該加速度感知質量部と歪み感知部を形成する工程によって形成されてなることを特徴とする加速度センサー。

IPC (2)：

G01P 15/12 ,  H01L 29/84