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J-GLOBAL ID：200903011912711150

位相シフトマスクの製造方法

Inventor： 横川 直博
Applicant, Patent owner： ホーヤ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992046002
Publication number (International publication number)：1993217877
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電子線描画のときの電荷蓄積を防止するために設けた導電性薄膜を、電子線レジストパターンに欠陥が発生することを防止して除去する。これにより、所望のパターンに忠実な位相シフト膜部を形成する。【構成】 遮光膜パターン6を設けた位相シフト層3の上面に、MoSi膜7及び電子線レジスト層8を順次形成する。この状態で、MoSi膜7を通して電子線レジスト層に電子線を描画し、MoSi膜7及び位相シフト層3の不要部分をドライエッチングして、位相シフト膜部を形成する。

Claim (excerpt)：

透明基板上に、エッチング停止層、位相シフト層、金属シリサイド層、及び電子線レジスト層を順次、成膜する成膜工程と、前記電子線レジスト層に所定のパターンに沿って電子線描画を施し、その後、現像することにより電子線レジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記電子線レジストパターンに従って、金属シリサイド層及び位相シフト層を選択的にエッチングして位相シフトパターンを形成する位相シフトパターン形成工程と、前記位相シフトパターンの位相シフト膜部上の、残存電子線レジスト膜部及び残存金属シリサイド膜部を除去する除去工程と、を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08

FI (2)：

H01L 21/30 341 P ,  H01L 21/30 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭49-047505
  
• 特開昭52-118821