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J-GLOBAL ID：200903011929318827

窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： 内田 憲治 ,  田中 俊明 ,  渡辺 明禎 ,  赤松 正一 ,  皆川 重量
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995037946
Publication number (International publication number)：1996236867
Application date： Feb. 27, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【構成】サファイア基板に溝を形成した後、窒化物系化合物半導体層からなる発光素子構造を選択的に結晶成長する。また、溝を形成した基板上に選択成長領域マスクを形成後、窒化物系化合物半導体を結晶成長する。これらの結晶成長および電極形成後に、その溝を用いて各々の発光素子にチップ化する。【効果】結晶を傷つけることなくチップ化でき、歩留まりが向上する。また、ドライエッチング等を用いたレーザの共振器作製に対しても、結晶を傷つけることなく容易に良好な共振器構造を結晶成長することができる。

Claim (excerpt)：

サファイア基板に溝を形成する工程と,溝を形成した前記基板上に窒化物系化合物半導体発光素子を選択的に結晶成長する工程と,前記溝を用いて個々の発光素子に分離する工程からなることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/25

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/23 S