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J-GLOBAL ID：200903011934953182
セラミックヒータ及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
高橋 祥泰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995113930
Publication number (International publication number)：1996268760
Application date： Apr. 14, 1995
Publication date： Oct. 15, 1996
Summary：
【要約】【目的】 抵抗変化率を任意にかつ容易に設定でき,耐久性及び生産性に優れた,セラミックヒータ及びその製造方法を提供すること。【構成】 外部から供給される電力により発熱可能な導電性セラミック体を有する。導電性セラミック体は,Si3 N4 とMoSi2 とSiCとよりなる原料粉末に,金属化合物よりなる焼結助材を添加,混合してなる混合粉末を用い,該混合粉末を成形し,加熱焼結したものである。Si3 N4 は,上記原料粉末の総量100重量%に対して,20〜80重量%含有されている。SiCの重量比に対するMoSi2 の重量比は1〜40である。また,SiCの代わりに,Mo,Moの炭化物,Moのホウ化物からなる添加材を添加,混合してもよい。
Claim (excerpt)：
外部から供給される電力により発熱可能な導電性セラミック体を有するセラミックヒータにおいて,上記導電性セラミック体は,Si<SB>3</SB> N<SB>4</SB> とMoSi<SB>2</SB> とSiCとよりなる原料粉末に,焼結助材を添加,混合してなる混合粉末を用い,該混合粉末を成形し,加熱焼結したものであり,Si<SB>3</SB> N<SB>4</SB> は,上記原料粉末の総量100重量%に対して,20〜80重量%含有されており,MoSi<SB>2</SB> とSiCとの重量比(MoSi<SB>2</SB> の重量%/SiCの重量%)は1〜40であり,且つ,焼結時の反応で少なくともMo<SB>5-X </SB>Si<SB>3</SB> C<SB>1-Y </SB>(0≦X≦2,0≦Y<1)を形成させ,焼結後は少なくともSi<SB>3</SB> N<SB>4</SB> とMoSi<SB>2</SB> とMo<SB>5-X </SB>Si<SB>3</SB> C<SB>1-Y </SB>とが混在し,Si<SB>3</SB> N<SB>4</SB> 粒子を包む少なくともMoSi<SB>2</SB> とMo<SB>5-X </SB>Si<SB>3</SB> C<SB>1-Y </SB>粒子とが互いに連続する組織を有していることを特徴とするセラミックヒータ。
IPC (7)：
C04B 35/584
, C04B 35/565
, C04B 35/573
, C04B 35/591
, C04B 35/58 106
, F23Q 7/00
, H05B 3/14
C04B 35/58 102 G
, C04B 35/58 106 A
, F23Q 7/00 X
, H05B 3/14 B
, C04B 35/56 101 K
, C04B 35/56 101 U
, C04B 35/58 102 W
