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J-GLOBAL ID：200903011943137045
半導体レーザ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
光石 俊郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993128723
Publication number (International publication number)：1994338656
Application date： May. 31, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：
【要約】【目的】 結晶内の転位に起因する突然劣化を防止し、0.86〜1.07μm帯、特に0.98μm帯で発振し、高出力時で特性劣化のない高性能半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 単一或いは多重のInyGa1-yAs量子井戸層からなる活性層(6)とAlxGa1-xAsからなる上下クラッド層(3,9)並びにGaAsコンタクト層(10)、GaAsバッファ層(2)等で構成されたレーザエピタキシャル成長膜において、基板(1)及び全層(2,3,6,9,10)に、少なくとも前記GaAsコンタクト層(10)、また、上部クラッド層ないし下部クラッド層(3,9)並びにGaAsバッファ層(2)等にInが2×1019〜3×1020cm-3の濃度範囲でドープされたものである。
Claim (excerpt)：
単一或いは多重のIn<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>As量子井戸層(0<y<0.5)からなる活性層とAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Asからなる上下クラッド層並びにGaAsコンタクト層、GaAsバッファ層等で構成されたレーザエピタキシャル成長膜において、少なくとも前記GaAsコンタクト層にInが1×10<SP>19</SP>〜3×10<SP>20</SP>cm<SP>-3</SP>の濃度範囲でドープされたことを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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