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J-GLOBAL ID：200903011944257702

遠紫外線用レジスト組成物及びこれを用いた微細パターン形成方法

Inventor： 浦野 文良 ,  安田 高訓 ,  勝山 亜希子 ,  山下 一博
Applicant, Patent owner： 和光純薬工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社
Agent (1)： 平井 順二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995083199
Publication number (International publication number)：1995319155
Application date： Mar. 15, 1995
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】アルミニウム、ポリシリコン、アルミニウムーシリコン、アルミニウムーシリコンー銅又はタングステンシリサイド等の段差のある高反射基板上で遠紫外光、KrFエキシマレーザー光等に対して高解像性能及び高感度を維持しながらハレーションやノッチングを抑制出来るレジスト組成物と、これを用いた微細パターン形成方法を提供。【構成】下記(i)〜(iii)(i)酸の作用により保護基を脱離してアルカリ可溶性となる樹脂、(ii)アルカリ可溶性の樹脂と、酸の作用により保護基を脱離してアルカリ可溶性となる化合物との組合せ、(iii)アルカリ可溶性の樹脂と、酸の作用により樹脂と架橋して樹脂をアルカリ難溶化させる化合物との組合せ、の何れかと、露光により酸を発生する感光性化合物と、特定のアントラセン誘導体と、溶剤とを含んで成るレジスト組成物と、これを用いた微細パターン形成方法。

Claim (excerpt)：

下記(i)〜(iii)(i)酸の作用により保護基を脱離してアルカリ可溶性となる樹脂、(ii)アルカリ可溶性の樹脂と、酸の作用により保護基を脱離してアルカリ可溶性となる化合物との組合せ、(iii)アルカリ可溶性の樹脂と、酸の作用により樹脂と架橋して樹脂をアルカリ難溶化させる化合物との組合せ、の何れかと、露光により酸を発生する感光性化合物と、下記一般式[1]【化1】[式中、R1は炭素数1〜6のアルキル基、一般式[2]【化2】(式中、R2は水素原子または炭素数1〜4のアルキル基を表し、R3は炭素数1〜6のアルキル基を表し、mは0〜3の整数を表す。)で示される基、又は一般式[3]【化3】(式中、R4は炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基又は置換フェニル基を表す。)で示される基を表し、nは1〜5の整数を表す。]で示されるアントラセン誘導体と、溶剤とを含んで成ることを特徴とするレジスト組成物。

IPC (8)：

G03F 7/004 503 ,  G03F 7/004 506 ,  G03F 7/031 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/027

FI (4)：

H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 566 ,  H01L 21/30 568 ,  H01L 21/30 569