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J-GLOBAL ID：200903011947557790

半導体装置

Inventor： 小林 郁典 ,  中村 和吉 ,  松永 浩二 ,  竹田 守 ,  松岡 富造
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992252593
Publication number (International publication number)：1994104437
Application date： Sep. 22, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板のTFTのゲート電極を下層に純Al、上層に陽極酸化可能な不純物を含むAlである2層構造を用いて形成することにより、抵抗を増加させることなくAlのヒロックを防止し、低リーク電流の陽極酸化膜の形成を可能にしてゲート電極とソース電極との短絡不良を抑制する。【構成】 ガラス基板11上にSiを添加したアルミニウム12aおよび2at%のTaを含むアルミニウム12bよりなるゲート電極を形成し、ゲート電極を被覆するように陽極酸化法により酸化アルミニウムゲート絶縁層13を形成し、非晶質シリコン半導体層15が窒化シリコンゲート絶縁膜14を介して形成し、液晶に電圧を印加する透明表示電極18を形成し、チタンおよびアルミニウムよりなるソース、ドレイン電極7a、7bがリンを含む非晶質シリコン半導体層6a、6bを介して形成し、ドレイン電極7bを透明表示電極18に接続する。

Claim (excerpt)：

基板の一主面上に下層がシリコンまたは銅あるいはその両方を添加したアルミニウムからなり、上層が陽極酸化可能な高融点金属を不純物として添加したアルミニウムからなる2層構造を有する第1の導電体層が選択的に形成され、前記第1の導電体層の表面に陽極酸化により酸化膜が形成され、絶縁薄膜層を介してシリコンを主成分とする第1の非単結晶半導体層が前記第1の導電体層と一部重なるように選択的に形成され、第2の導電体層がリンを含むシリコンを主成分とする第2の非単結晶半導体層を介して前記第1の非単結晶半導体層と一部重なるように形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500