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J-GLOBAL ID：200903011950556371

電導性構成の製造プロセス

Inventor：
イリアン ウー

About イリアン ウー

, 
ベン エス オン

About ベン エス オン


Applicant, Patent owner：
ゼロックス コーポレイション

About ゼロックス コーポレイション


Agent (4)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007184405
Publication number (International publication number)：2008028390
Application date： Jul. 13, 2007
Publication date： Feb. 07, 2008
Summary：
【課題】電子デバイスの電導性構成又は素子を製造するのに適した低価格の方法及び組成物を得る。【解決手段】半導体層と、ゲート電極と、半導体層と接触するソース電極と、半導体層と接触するドレイン電極と、半導体層とゲート電極との間に配置されたゲート誘電体とを含む薄膜トランジスタを製造する、ステップを含み、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極からなる群から選択される少なくとも1つの電極が、(i)結果として堆積組成物をもたらすように、有機アミンと、銀化合物と、随意的に有機酸とを含む開始原料を含む低粘度組成物を液相堆積し、(ii)堆積組成物を加熱して、銀を含む電導性構成をもたらす、ステップを含む電極製造プロセスにより形成される、ことを特徴とするプロセス。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
電導性構成を製造するためのプロセスであって、 (a)結果として堆積組成物をもたらすように、有機アミンと、銀化合物と、随意的に有機酸とを含む開始原料を含む低粘度組成物を液相堆積し、 (b)前記堆積組成物を加熱して、銀を含む電導性構成をもたらす、 ステップを含むことを特徴とするプロセス。
IPC (8)：
H01L 21/288 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/368
FI (10)：
H01L21/288 Z ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/368 L
F-Term (34)：
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB08 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F053AA06 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053HH01 ,  5F053LL10 ,  5F053RR13 ,  5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • Takamatsuによる米国特許番号第6,197,366B1
  • Kodas他による米国特許番号第6,951,666B2
  • Yiliang Wu他による(代理人整理番号第A3401-US-NPに対応する)米国特許出願公開番号第20050129843A1
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Cited by examiner (3)

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