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J-GLOBAL ID：200903011951887606
プラズマエッチング装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
小原 肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995203853
Publication number (International publication number)：1997036098
Application date： Jul. 18, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：
【要約】【目的】 半導体ウエハWの中央部のエッチング速度を高めることができ、半導体ウエハWのエッチング処理の均一性を高めることができるプラズマエッチング装置を提供する。【構成】 本プラズマエッチング装置は、処理室1内の底面に配設され且つ半導体ウエハを保持する下部電極と、この下部電極に対向して配設され且つ下部電極2で保持された半導体ウエハWに向けてエッチング用ガスを供給する上部電極3とを備え、両電極2、3に13.56MHzの高周波電力をそれぞれ180°の位相差を付けて印加し、エッチング用ガスをプラズマ化して半導体ウエハWにエッチング処理を施すプラズマエッチング装置において、上部電極3の下部電極2との対向面2Cのガス供給部2Dに、この対向面2Cから下部電極2に接近するに連れて縮径するロート状のガス供給筒3Eを取り付けたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
処理室内に配設され且つ被処理体を保持する第1電極と、この第1電極に対向して配設され且つ第1電極で保持された被処理体に向けてエッチング用ガスを供給する第2電極とを備え、両電極の少なくとも一方に高周波電力を印加し、エッチング用ガスをプラズマ化して上記被処理体にエッチング処理を施すプラズマエッチング装置において、第2電極の第1電極との対向面のガス供給部に、この対向面から第1電極に接近するに連れて縮径するガス供給筒を取り付けたことを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
