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J-GLOBAL ID：200903011960598315

チタンおよびその合金製心臓弁における血栓形成能を低下する方法

Inventor： ディアネイリー,ジョフリー ,  ランクフォード,ジェイムズ・ジュニア
Applicant, Patent owner： サウスウエスト・リサーチ・インスティチュート
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997501505
Publication number (International publication number)：1999506807
Application date： Jun. 06, 1996
Publication date： Jun. 15, 1999
Summary：

【要約】本発明は、チタン系要素の血栓形成能を低下するために、該要素をダイアモンド状カーボンにより被覆する方法を提供する。好ましい形態では、チタン系要素は、心臓弁である。本発明によれば、要素を真空槽内に配置し、約600〜650°C(1112〜1202°F)に加熱する。その後、要素上に珪素を堆積し、同時に、エネルギーイオンビームにより衝撃して、金属珪化物結合層を形成する。次いで、要素を、少なくとも100°C(212°F)以下、好ましくは80°C(176°F)以下に冷却し、ダイアモンド状カーボン前駆体を、金属珪化物結合層上に凝縮する。同時に、前駆体をエネルギーイオンにより衝撃して、ダイアモンド状カーボンの被覆を形成する。

Claim (excerpt)：

22.ダイアモンド状カーボンによりチタンを含んでなる基材を被覆する方法であって、 該基材を、約10-5torrまたはそれ以下の圧力の真空に暴露し、 該基材を、少なくとも約600〜650°C(1112〜1202°F)の間に加熱し、 該要素上に、珪素の外側層に凝集的に結合したチタン-珪化物の内部結合層を形成するのに十分な量で、珪素を堆積し、 珪素の堆積と実質的に同時に、珪素の外側層に凝集的に結合したチタン-珪化物内部結合層を形成するのに十分な第1の時間、第1エネルギーおよび第1イオン密度において、イオンの第1エネルギービームにより、堆積した珪素を衝撃し、 該珪素の外側層上にダイアモンド状カーボン前駆体の分子の膜を形成するのに十分な第2温度および第2時間で、該珪素の外側層に該前駆体を凝縮し、ここで、第2温度は、該ダイヤモンド状カーボン前駆体が該基材から蒸発しない程度に十分低く、 ダイヤモンド状カーボン前駆体の凝縮と実質的に同時に、該ダイアモンド状カーボンの外側被覆に凝集的に結合した炭化珪素内部層を形成するのに十分な第3の時間で、第2エネルギーおよび第2イオン密度において、イオンの第2エネルギービームにより、該ダイヤモンド状カーボン前駆体を衝撃することを含んでなる方法。 23.該第1および第2のイオンビームは、窒素、アルゴン、水素、珪素、メタン、ヘリウム、ネオンおよびこれらの組み合わせからなる群から選択されるイオンを含んでなる請求項22に記載の方法。 24.該第2イオンビームは窒素イオンを含んでなる請求項22に記載の方法。 25.該第1および第2エネルギーは、約10〜30keVの範囲にある請求項22に記載の方法。 26.該第1および第2エネルギーは、約10〜30keVの範囲にある請求項23に記載の方法。 27.該第1および第2エネルギーは、約10〜30keVの範囲にある請求項24に記載の方法。 28.該第2温度は、約100°C(212°F)に等しいかまたはそれより低い請求項22に記載の方法。 29.該第2温度は、約100°C(212°F)に等しいかまたはそれより低い請求項23に記載の方法。 30.該第2温度は、約100°C(212°F)に等しいかまたはそれより低い請求項24に記載の方法。 31.該第2温度は、約100°C(212°F)に等しいかまたはそれより低い請求項25に記載の方法。 32.該第2温度は、約100°C(212°F)に等しいかまたはそれより低い請求項27に記載の方法。 33.該珪素を、約100〜200nmの範囲の厚さで、該基材上に堆積する請求項22に記載の方法。 34.該珪素を、約100〜200nmの範囲の厚さで、該基材上に堆積する請求項23に記載の方法。 35.該珪素を、約100〜200nmの範囲の厚さで、該基材上に堆積する請求項24に記載の方法。 36.チタンを含む少なくとも1つの基材を有する医療用インプラントとであって、 チタン-珪化物を含む第1層を形成する、該チタンに化学的に結合されたシリコン; 珪素を含む第2層を形成する、該チタン-珪化物に凝集的に結合したシリコン; 炭化珪素を含む第3層を形成する、該珪素に化学的に結合した炭素; ダイヤモンド状カーボンを含む第4層を形成する、該炭化珪素に凝集的に結合した炭素により連続傾斜で被覆したインプラント。 37.該ダイヤモンド状カーボンは、少なくとも約1μの厚さを有する請求項36に記載の医療用インプラント。 38.該ダイヤモンド状カーボン中の該カーボンに結合した窒素イオンをさらに含む請求項36に記載の医療用インプラント。 39.該ダイヤモンド状カーボン中の該カーボンに結合した窒素イオンをさらに含む請求項37に記載の医療用インプラント。 40.ダイヤモンド状カーボンにより被覆されたチタンを含んでなる固体基材であり、 該基材を、約10-5torrまたはそれ以下の圧力の真空に暴露し、 該基材を、少なくとも約600〜650°C(1112〜1202°F)の間に加熱し、 該要素上に、珪素の外側層に凝集的に結合したチタン-珪化物の内部結合層を形成するのに十分な量で、珪素を堆積し、 珪素の堆積と実質的に同時に、珪素の外側層に凝集的に結合したチタン-珪化物内部結合層を形成するのに十分な第1の時間、第1エネルギーおよび第1イオン密度において、イオンの第1エネルギービームにより、堆積した珪素を衝撃し、 該珪素の外側層上にダイアモンド状カーボン前駆体の分子の膜を形成するのに十分な第2温度および第2時間で、該珪素の外側層に該前駆体を凝縮し、ここで、第2温度は、該ダイヤモンド状カーボン前駆体が該基材から蒸発しない程度に十分低く、 ダイヤモンド状カーボン前駆体の凝縮と実質的に同時に、該ダイアモンド状カーボンの外側被覆に凝集的に結合した炭化珪素内部層を形成するのに十分な第3の時間で、第2エネルギーおよび第2イオン密度において、イオンの第2エネルギービームにより、該ダイヤモンド状カーボン前駆体を衝撃することを含んでなる方法により製造された固体基材。 41.該ダイヤモンド状カーボン被覆は、少なくとも約1μの厚さを有する請求項40に記載の基材。 42.第2イオンビームは、窒素イオンを含んでなる請求項40に記載の基材。 43.第2イオンビームは、窒素イオンを含んでなる請求項41に記載の基材。 44.該珪素は、約100〜200nmの間の厚さで該基材上に堆積される請求項40に記載の基材。 45.該珪素は、約100〜200nmの間の厚さで該基材上に堆積される請求項41に記載の基材。 46.該珪素は、約100〜200nmの間の厚さで該基材上に堆積される請求項43に記載の基材。

IPC (2)：

C23C 14/06 ,  A61L 33/00

FI (2)：

C23C 14/06 F ,  A61L 33/00