酸化亜鉛基積層構造体及びその製造法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003209145
Publication number (International publication number)：2005072067
Application date： Aug. 27, 2003
Publication date： Mar. 17, 2005
Summary：

【課題】電子素子として酸化亜鉛半導体を利用するに際して、特に、状態の異なる酸化亜鉛結晶を複合化して電荷分離を起こさせることは有効である。【解決手段】格子体積Va、ドナー濃度Naである酸化亜鉛、又は、酸化亜鉛固溶体層と、格子体積Vb、ドナー濃度Nbである酸化亜鉛、又は、酸化亜鉛固溶体層という2層からなる酸化亜鉛積層構造体であって、その両者の間に、Va<Vbであり、かつ、Na>Nbである関係が成立した積層構造体であり、格子体積がVaとなっている層を電荷供給層、格子体積がVbとなっている層を電荷受容層とした積層構造体であり、この積層構造体に対して外部から電場を加えていない状態においても、電荷供給層となる層から、電荷受容層となる層への電荷が移動した状態を実現し、この電荷供給層から電荷受容層への電荷の移動が原因となった空乏層が電荷供給層中に形成されることを特徴とする酸化亜鉛基積層構造体。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

格子体積Va、ドナー濃度Naである酸化亜鉛、又は、酸化亜鉛固溶体層と、格子体積Vb、ドナー濃度Nbである酸化亜鉛、又は、酸化亜鉛固溶体層という2層からなる酸化亜鉛積層構造体であって、その両者の間に、Va<Vbであり、かつ、Na>Nbである関係が成立した積層構造体であり、格子体積がVaとなっている層を電荷供給層、格子体積がVbとなっている層を電荷受容層とした積層構造体であり、この積層構造体に対して外部から電場を加えていない状態においても、電荷供給層となる層から、電荷受容層となる層への電荷が移動した状態を実現し、この電荷供給層から電荷受容層への電荷の移動が原因となった空乏層が電荷供給層中に形成されることを特徴とする酸化亜鉛基積層構造体。

IPC (4)：

H01L29/227 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (2)：

H01L29/227 , H01L29/80 H

F-Term (7)：

5F102GB01 , 5F102GL01 , 5F102GM01 , 5F102GQ01 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

酸化亜鉛基ホモロガス化合物薄膜の製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-228168 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
低抵抗p型単結晶酸化亜鉛およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-229504 Applicant：科学技術振興事業団

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