Pat

J-GLOBAL ID：200903011969937848

荷電粒子線照射装置及び治療装置

Inventor： 松田 浩二 ,  秋山 浩 ,  平本 和夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋本 正実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996194570
Publication number (International publication number)：1998033697
Application date： Jul. 24, 1996
Publication date： Feb. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ウォブラー電磁石と散乱体を使った荷電粒子線照射装置において、ウォブラー電磁石、及びシステムの健全性が損なわれた場合の線量照射を防ぎ、安全性を向上させる。【解決手段】 荷電粒子線を偏向する電磁場を発生するウォブラー電磁石10,11及び交流電源12,13よりなる電磁場発生装置と、前記荷電粒子線を散乱するための散乱体14から構成される荷電粒子線照射装置において、前記電磁場発生装置と散乱体14の間、もしくは散乱体14の下流、またはそれら両方の位置に、遮蔽物15を配置する。システムの健全性が損なわれ、ビーム軸が設計値からずれた場合、遮蔽物15によって荷電粒子ビームを停止させる。

Claim (excerpt)：

荷電粒子線を偏向する電磁場を発生する電磁場発生装置および該電磁場発生装置の下流に配置された前記荷電粒子線を散乱する散乱体を構成要素として備えた荷電粒子線照射装置において、前記電磁場発生装置と散乱体との間、もしくは散乱体の下流、またはそれら両方の位置に、該位置において前記電磁場発生装置による偏向後の荷電粒子線のビーム軸と干渉せず、かつ電磁場発生装置の電磁場の励起状態が正常でない場合の荷電粒子線の通過領域と交わる領域に、遮蔽物を配置したことを特徴とする荷電粒子線照射装置。