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J-GLOBAL ID：200903011969989910
プラズマCVD法及び装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991211126
Publication number (International publication number)：1993051753
Application date： Aug. 22, 1991
Publication date： Mar. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 原料ガスをプラズマ化し、基板上に薄膜を形成するプラズマCVD法及び装置において、成膜反応に寄与するラジカル種の生成を妨げず、しかもダスト発生の原因となるラジカル種の発生を選択的に抑制して、所望の成膜速度を維持したまま、ダストの基板上成膜部への付着を抑制する。【構成】 原料ガスをプラズマ化し、基板上に薄膜を形成するプラズマCVD法及び装置において、前記原料ガスのプラズマ化を、所定周波数の高周波電力に1KHz以下の第1のパルス変調及び該変調より短い周期をもつ第2のパルス変調を重畳させた高周波電力を印加して行う。
Claim (excerpt)：
原料ガスをプラズマ化し、基板上に薄膜を形成するプラズマCVD法において、前記原料ガスのプラズマ化を、所定周波数の高周波電力に1KHz以下の第1のパルス変調及び該変調より短い周期をもつ第2のパルス変調を重畳させた高周波電力の印加により行うことを特徴とするプラズマCVD法。
IPC (3)：
C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/31
