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J-GLOBAL ID：200903011975068312

アクティブマトリクス回路

Inventor： 須沢 英臣
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994154177
Publication number (International publication number)：1995335903
Application date： Jun. 13, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタによって構成されたアクティブマトリクス回路とその駆動回路の新しい構成を提案する。【構成】 ドーピングプロセスとサイドウォールを組み合わせることにより、アクティブマトリクス回路の薄膜トランジスタのソース/ドレインにはN型もしくはP型のいずれか一方の不純物をドーピングし、アクティブマトリクス回路の薄膜トランジスタと導電型が同じで、かつ、周辺回路に使用されている薄膜トランジスタのソース/ドレインにはP型およびN型の不純物が両方とも含まれるようにする。

Claim (excerpt)：

モノリシック型アクティブマトリクス回路において、アクティブマトリクス回路に用いられる薄膜トランジスタのソース/ドレインにはN型もしくはP型のいずれか一方の不純物のみがドーピングされており、周辺回路に用いられている同じ導電型の薄膜トランジスタのソース/ドレインにはN型およびP型の不純物の双方がドーピングされていることを特徴とするアクティブマトリクス回路。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500

FI (2)：

H01L 29/78 311 A ,  H01L 29/78 311 S

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開平4-195123
  
• 特開平2-224284
  
• 特開平4-170067
  
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-269173   Applicant：カシオ計算機株式会社

Cited by examiner (5)

• 薄膜状半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-186891   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平4-195123
  
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-269173   Applicant：カシオ計算機株式会社
• 特開平2-224284
  
• 特開平4-170067