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J-GLOBAL ID：200903011978328838

半導体ダイヤモンドの製造方法

Inventor： 北畠 真
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991186076
Publication number (International publication number)：1993029244
Application date： Jul. 25, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 熱処理に依って回復可能な低損傷のイオン打ち込みによるp型、n型の半導体ダイヤモンドの製造方法を提供する。【構成】 ダイヤモンド結晶1の例えば<110>方向に炭素以外の粒子2をイオン打ち込みする。ダイヤモンドの(110)面は原子同士の間隙が大きくこの間隙を照射されたイオンがチャンネリングして打ち込まれる。このようにして<110>方向にイオン打ち込みされたダイヤモンドを、1400°Cの熱処理を施すことにより、損傷はコンペンセートされ、打ち込まれたイオンは格子位置に入り半導体ダイヤモンドとして機能する。同様なチャンネリングは<100>、<121>方向についても確認された。

Claim (excerpt)：

加速された炭素以外の粒子を、ダイヤモンドの<110>、<100>、<121>方向などのチャンネリング方向に照射することを特徴とする半導体ダイヤモンドの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/265 ,  C30B 29/04