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J-GLOBAL ID：200903011984004688

半導体装置

Inventor： 福本 晴継 ,  市川 浩司 ,  浅井 昭喜 ,  松本 宗昭
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994152365
Publication number (International publication number)：1996018009
Application date： Jul. 04, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 単一電源にてMOSFETに電圧を印加するとともに同MOSFETのしきい値電圧を制御することが可能となる半導体装置を提供することにある。【構成】 単結晶シリコン基板1上に埋め込み絶縁体層2を介してSOI層3,4が形成されている。SOI層3にはNチャネルMOSFET7が形成され、SOI層4にはPチャネルMOSFET10が形成されている。単結晶シリコン基板1上に埋め込み絶縁体層2を介してSOI層12,13が形成され、SOI層12にはNチャネルMOSFET16が形成され、SOI層13にはPチャネルMOSFET19が形成されている。MOSFET16,19にてバイアス電圧回路21が構成され、バイアス電圧回路21にてバイアス電圧が生成され、配線25を通して単結晶シリコン基板1にバイアス電圧が印加される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に絶縁体層を介して単結晶半導体層からなるMOSFETが配置され、少なくとも当該MOSFETのチャネル領域に対向した前記絶縁体層内あるいは前記半導体基板に電極を配置し、当該電極にバイアス電圧を印加するようにした半導体装置において、前記半導体基板上に絶縁体層を介して単結晶半導体層からなるバイアス電圧回路を形成し、当該バイアス電圧回路により前記バイアス電圧を生成するようにしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-071806   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平3-023659