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J-GLOBAL ID：200903011996944430

Bi系超伝導体素子

Inventor： 吉田 政司
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 森 道雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995015626
Publication number (International publication number)：1996208229
Application date： Feb. 02, 1995
Publication date： Aug. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】数百メガヘルツ〜数ギガヘルツという高周波領域の電磁波用のフィルター、アンテナ等のRF素子に使用することのできる高周波表面抵抗の小さいBi系超伝導体素子を得る。【構成】MgO 基板上に、Bi2 SrX Ca3-X Cu2OZ をモル分率で90%以上含有する厚さが0.5 〜20μmの酸化物超伝導体層を有し、さらにその上に厚さが 0.1μm以上の銀層を有するBi系超伝導体素子。ただし、上記組成式において、 1.3≦X≦ 2.4である。

Claim (excerpt)：

MgO 基板上に、Bi2 SrX Ca3-X Cu2OZ をモル分率で90%以上含有する厚さが0.5 〜20μmの酸化物超伝導体層を有し、さらにその上に厚さが 0.1μm以上の銀層を有することを特徴とするBi系超伝導体素子。ただし、上記組成式において、 1.3≦X≦ 2.4である。

IPC (4)：

C01G 29/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01P 11/00 ZAA