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J-GLOBAL ID：200903012000824937

ナノダイヤモンドとその製造方法

Inventor： 遊佐 斉
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000258567
Publication number (International publication number)：2002066302
Application date： Aug. 29, 2000
Publication date： Mar. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ダイヤモンド焼結体や、スラリー状研摩材等として有用な、ナノサイズの均一な粒径を有するナノダイヤモンドとその製造方法を提供する。【解決手段】 カーボンナノチューブを10GPa以上の高圧で1600°C以上に加熱して、ナノダイヤモンドを合成する。

Claim (excerpt)：

カーボンナノチューブが、10GPa以上の高圧で1600°C以上に加熱されることにより合成されたものであることを特徴とするナノダイヤモンド。

IPC (3)：

B01J 3/06 ,  C01B 31/06 ,  C04B 35/52 301

FI (5)：

B01J 3/06 Q ,  B01J 3/06 E ,  B01J 3/06 M ,  C01B 31/06 A ,  C04B 35/52 301 A

F-Term (2)：

4G046GA03 ,  4G046GB05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• ダイヤモンド作製方法およびその作製装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-269605   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 電界放出型冷陰極装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-049803   Applicant：株式会社東芝
• フラーレンをベースとする焼結炭素材料
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-570093   Applicant：ダイアモンド・マテリアルズ・インコーポレーテッド

Cited by examiner (1)

• ダイヤモンド作製方法およびその作製装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-269605   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所