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J-GLOBAL ID：200903012008230572

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 二階堂 正孝
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  株式会社九州富士通エレクトロニクス
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993077972
Publication number (International publication number)：1994291221
Application date： Apr. 05, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、集積回路が形成されウエハから切り出された半導体チップを保護のためにモールド樹脂にて封止してなる半導体装置、及びその製造方法に関し、取扱いが容易で小型、且つ多ピン化となるものを提供することを目的とする。【構成】 半導体チップ2の複数の電極部にバンプ3が形成され、該バンプ3の表面が外部に露出するように前記半導体チップ2がモールド樹脂4により被覆された構成とする。また、製造方法において、半導体チップ2の電極部にバンプ3を形成した後、金型12,13内面に前記バンプ3表面が接触するように前記半導体チップ2を前記金型のキャビティ14内に設置し、該キャビティ14内に溶融する樹脂を注入して固化させることで、バンプ3表面が外部に露出するように前記半導体チップ2をモールド樹脂4で被覆する構成とする。

Claim (excerpt)：

半導体チップ(2)の複数の電極部にバンプ(3)が形成され、該バンプ(3)の表面が外部に露出するように前記半導体チップ(2)がモールド樹脂(4)により被覆されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/321