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J-GLOBAL ID：200903012017387719

プラズマ薄膜製造装置

Inventor： 井上 潔
Applicant, Patent owner： 株式会社アイ・エヌ・アール研究所
Agent (1)： 最上 正太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993088821
Publication number (International publication number)：1994299348
Application date： Apr. 15, 1993
Publication date： Oct. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 各種材料から成る薄膜を、工業的に高速、大量にかつ正確に製造できる装置を提供する。【構成】 薄膜の材料となるべき基本元素を含む反応ガス若しくは基本元素から成るプラズマを誘発電極を用いて発生させると共に、誘発電極と被加工体の距離を1μmないし100μmの範囲で制御する機構を設けたことを特徴とする。誘発電極としては線状、帯状、針状等のものが好適に利用できる。【効果】 任意の材料から成る多層膜を自動的に正確に成膜でき、薄膜の厚さもnmオーダーで制御可能となる。また、不純物の混入を防止して、高純度の薄膜を高速度で形成することが可能となる。

Claim (excerpt)：

薄膜の材料となるべき基本元素を含む反応ガス若しくは基本元素から成るプラズマを誘発電極を用いて発生させると共に、誘発電極と被加工体の距離を制御する機構を設けたことを特徴とするプラズマ薄膜製造装置。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/54 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52