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J-GLOBAL ID：200903012028576718

半導体装置

Inventor： 矢島 貴史
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992037414
Publication number (International publication number)：1993243517
Application date： Feb. 25, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】スタック型キャパシタを有する半導体装置においてn+ 型拡散層とアルミニウム配線とのコンタクトホールを、容量部のコンタクトホールを形成するときに同時に開口し、容量電極用の多結晶シリコン膜で、n+ 型拡散層とアルミニウム配線とのコンタクトホールを埋め込み、アルミニウム配線のステップカバレッヂを良好なものとする。【構成】n+ 型拡散層3a,3b上に第1のコンタクトホール5を開口幅0.7μmで、第2のコンタクトホール6を開口幅1.8μmで形成し、厚さ400nmの多結晶シリコン膜を全面に形成しパターニングすることにより、第1のコンタクトホール5をプラグ状導電体7で埋め込み、第2のコンタクトホール6内にスタック型キャパシタの第1の容量電極を形成する。

Claim (excerpt)：

一導電型半導体基板を被覆する絶縁膜と、前記絶縁膜を貫通して前記半導体基板の表面に達する開口幅の小さい第1のコンタクトホールおよび開口幅の大きい第2のコンタクトホールと、厚さが前記第1のコンタクトホールの開口幅の少なくとも2分の1でかつ前記第2のコンタクトホールの開口幅の高々2分の1の多結晶シリコン膜からなり前記第1のコンタクトホールを埋込むプラグ状導電体と、前記多結晶シリコン膜と同一の厚さを有し前記第2のコンタクトホールとその近傍に形成された多結晶シリコン膜を一方の電極として有するキャパシタとを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/90 ,  H01L 27/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-041262
  
• 特開平3-022475
  
• 特開平3-272169