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J-GLOBAL ID：200903012047073018

パターン形成方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法、並びに半導体装置

Inventor： 保田 直紀 ,  豊島 利之 ,  石橋 健夫
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999201610
Publication number (International publication number)：2001033983
Application date： Jul. 15, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】 露光波長限界を超えるパターン形成を可能とするパターン形成方法を得る。【解決手段】 第1のネガ型レジストパターン6aの表面部を剥離液により溶解除去して第2のネガ型レジストパターン8を形成する。

Claim (excerpt)：

ネガ型レジスト膜を露光し現像して第1のネガ型レジストパターンを形成し、この第1のネガ型レジストパターンを部分的に除去して第2のネガ型レジストパターンを形成するパターン形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/40 511 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/40 511 ,  G03F 7/038 601 ,  H01L 21/30 572 Z

F-Term (28)：

2H025AA02 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AC05 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H025FA28 ,  2H025FA33 ,  2H025FA48 ,  2H096AA25 ,  2H096AA26 ,  2H096BA06 ,  2H096EA05 ,  2H096EA07 ,  2H096HA01 ,  2H096HA03 ,  2H096HA30 ,  2H096LA03 ,  5F046LA18 ,  5F046LA19 ,  5F046MA06