Pat

J-GLOBAL ID：200903012047890806

不揮発性半導体記憶装置および書込み方法

Inventor： 吉田 敬一 ,  久保埜 昌次
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 大日方 富雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996180859
Publication number (International publication number)：1998027486
Application date： Jul. 10, 1996
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 フラッシュメモリでは、消去レベルに近いしきい値のメモリセルから、しきい値が遠いメモリセルへ順次書込みを行なうようにすると、ワード線ディスターブによるしきい値の変動が大きい。また、書込みの際にしきい値をずらしたいすべてのメモリセルに対して書込みパルスを印加するため、書込み時のピーク電流が増大するともに平均消費電力も多くなるという課題があった。【解決手段】 複数のしきい値を設定して1つのメモリセルに多値の情報を記憶させるようにした不揮発性半導体記憶装置において、消去レベルから遠いしきい値のメモリセルへの書込みから開始して順次しきい値が近いメモリセルへの書込みを行なうようにした。

Claim (excerpt)：

メモリセルのしきい値を2段階以上に設定するとともに、ワード線のレベルを2段階以上に変化させてメモリセルの読み出しを行なうことで一つのメモリセルに2ビット以上のデータを記憶させるように構成された不揮発性半導体記憶装置において、消去レベルから遠いしきい値のメモリセルへの書込みから開始して順次しきい値が近いメモリセルへの書込みを行なうようにしたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の書込み方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-234767   Applicant：株式会社東芝
• 特開平3-059886
  
• 特開昭62-006493