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J-GLOBAL ID：200903012056303670

有機金属気相成長法

Inventor： 河合 弘治 ,  ヤン・ルベレゴ ,  富岡 聡
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993317383
Publication number (International publication number)：1995147237
Application date： Nov. 24, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】基板加熱温度を変更することなく、基板水平方向あるいは基板垂直方向への化合物半導体結晶層の成長を任意に制御することができる選択成長技術に基づくMOCVD法を提供する。【構成】MOCVD法は、GaAsから成る基板10の(111)B面上に、基板水平方向に{110}面を有しそして基板垂直方向に(111)面を有し、且つ少なくともGa元素及びAs元素を含む化合物半導体結晶層20を成長させる方法であって、基板垂直方向への化合物半導体結晶層の成長においては、Ga原料ガスとしてトリエチルガリウムを使用し、基板水平方向への化合物半導体結晶層の成長においては、Ga原料ガスとしてトリメチルガリウムを使用しそしてAs原料ガスとしてトリメチルヒ素を使用し、且つAs原料ガス/Ga原料ガスの分圧比を100以上とする。

Claim (excerpt)：

GaAsから成る基板の(111)B面上に、基板水平方向に{110}面を有しそして基板垂直方向に(111)面を有し、且つ少なくともGa元素及びAs元素を含む化合物半導体結晶層を成長させる有機金属気相成長法であって、基板垂直方向への化合物半導体結晶層の成長においては、Ga原料ガスとしてトリエチルガリウムを使用し、基板水平方向への化合物半導体結晶層の成長においては、Ga原料ガスとしてトリメチルガリウムを使用しそしてAs原料ガスとしてトリメチルヒ素を使用し、且つAs原料ガス/Ga原料ガスの分圧比を100以上とすることを特徴とする有機金属気相成長法。