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J-GLOBAL ID：200903012058342380

光スイッチング素子

Inventor： 吉田 宏 ,  早瀬 修二
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997234871
Publication number (International publication number)：1999072808
Application date： Aug. 29, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 製造工程が簡単であり、通常の光源で動作する光スイッチング素子を提供する。【解決手段】 基板(11)上に形成された薄膜(12)の一部に選択的に形成された光スイッチング部(13)を有し、前記薄膜(12)がポリシランからなり、前記光スイッチング部(13)がポリシロキサンおよびフォトクロミック材料を含有する材料からなる光スイッチング素子。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された薄膜の一部に選択的に形成された光スイッチング部を有し、前記薄膜が下記一般式(I)で表される繰り返し単位を有するポリシランを含有し、前記光スイッチング部が下記一般式(II)で表される繰り返し単位を有するポリシロキサンおよびフォトクロミック材料を含有する材料からなる【化1】(式中、Rは置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシル基、アリール基、およびヘテロアリール基からなる群より選択され、同一でも異なっていてもよい。)ことを特徴とする光スイッチング素子。

IPC (7)：

G02F 1/17 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/04 ,  C08L 83/16 ,  C09D183/16 ,  G03C 1/73 503 ,  C09K 9/02

FI (7)：

G02F 1/17 ,  C08K 5/00 ,  C08L 83/04 ,  C08L 83/16 ,  C09D183/16 ,  G03C 1/73 503 ,  C09K 9/02 B