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J-GLOBAL ID：200903012075552398

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとその製造方法

Inventor： 岡田 茂実 ,  夏目 正
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991153321
Publication number (International publication number)：1993003324
Application date： Jun. 25, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高不純物濃度で幅狭のバッファ層(12)を有するIGBTを安価に提供すること。【構成】 N-型基板(11)の表面にエピタキシャル成長法によりN+型バッファ層(12)を形成し、バッファ層(12)の表面に拡散法によってP+型半導体層(13)を形成する。N-型基板(11)の反対表面にゲート電極(16)等を形成してIGBTとする。

Claim (excerpt)：

一導電型の高比抵抗の半導体基板と、前記基板の一方の面にエピタキシャル成長した一導電型の高濃度バッファ層と、前記バッファ層の表面から拡散形成した逆導電型の高濃度層と、前記基板の反対表面に形成した、ゲート電極、ベースとなる逆導電型拡散領域、および前記逆導電型拡散領域の表面に形成した一導電型のソース領域とを具備することを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/44

FI (3)：

H01L 29/78 321 J ,  H01L 27/06 321 D ,  H01L 27/06 321 B