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J-GLOBAL ID：200903012076310622

電子部品用Ag合金膜およびAg合金膜形成用スパッタリングターゲット材

Inventor：
村田 英夫

About 村田 英夫


Applicant, Patent owner：
日立金属株式会社

About 日立金属株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001307336
Publication number (International publication number)：2003113433
Application date： Oct. 03, 2001
Publication date： Apr. 18, 2003
Summary：
【要約】【課題】 低い抵抗値と高い反射率、プロセス中でのヒロック耐性、耐熱性、耐食性そして基板との密着性を改善した電子部品用Ag合金膜およびAg合金膜形成用スパッタリングターゲット材を提供する。【解決手段】 Sc、Y、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Ybから選ばれる1種以上の元素を合計で0.1〜2at%、さらにCu、Auのうち1種または2種の元素を0.1〜3at%含み残部実質的にAgからなる電子部品用Ag合金膜である。そのうち、Cu、AuからCuを選択し、Cuを0.1〜2at%含む電子部品用Ag合金膜。また、Cu、AuからAuを選択し、Auを0.1〜3at%含む電子部品用Ag合金膜である。そしてこれら同様の成分組成を有する電子部品用Ag合金膜形成用スパッタリングターゲットである。
Claim (excerpt)：
Sc、Y、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Ybから選ばれる1種以上の元素を合計で0.1〜2at%、Cu、Auのうち1種または2種の元素を0.1〜3at%含み残部実質的にAgからなることを特徴とする電子部品用Ag合金膜。
IPC (3)：
C22C 5/06 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/34
FI (3)：
C22C 5/06 Z ,  C23C 14/14 D ,  C23C 14/34 A
F-Term (10)：
4K029BA22 ,  4K029BC03 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029BD02 ,  4K029BD03 ,  4K029BD09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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