薄膜を最初の基体から目的の基体上に移動させる方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：萩野平 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997009604
Publication number (International publication number)：1997213594
Application date： Jan. 22, 1997
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】操作基体の破壊が無く、また操作基体を取り除く最中に薄膜が重い応力を受けないことを特徴とする薄膜を移動させる方法を提供する。【解決手段】薄膜を最初の基体から目的の基体上に移動させる方法。この方法は下記の連続工程:裂開区域を有する操作基体(120)上に薄膜(112)を接合する工程;最初の基体を取り除く工程;薄膜(112)を目的の基体(132)と接合する工程;裂開区域に沿って操作基体(120)を裂開する工程から成ることを特徴とする。本発明は特に集積回路の立体構造の製造に応用される。

Claim (excerpt)：

操作基体(120) を用いて最初の基体(100) から目的の基体(132) 上へ薄膜(112) を移動させる方法であって、前記薄膜は最初の基体(100) に接合する第一の面(114) 及び前記第1の面の反対側に位置し、何も接合されない第二の面(116) とを有しており、その移動方法は下記の連続工程:薄膜の何も接合されていない面(116) を、操作基体(120) の固体部分(122) に裂開区域(126) を介して接合された表面膜(124) と接合させる工程;最初の基体(110) を取り除く工程;薄膜(112) の第一の面(114) と目的の基体(132) の表面(134) とを接合する工程;裂開区域(126) に沿って操作基体(120) を裂開する工程から成ることを特徴とする前記方法。

IPC (2)：

H01L 21/02 , H01L 27/12

FI (2)：

H01L 21/02 B , H01L 27/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体基材の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-292258 Applicant：キヤノン株式会社
ウェファ基板のキャビティを含む構造とその製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-519911 Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク
複合型半導体積層構造の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-133044 Applicant：日本電気株式会社

Show all

Return to Previous Page