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J-GLOBAL ID：200903012080183767

高性能熱電材料およびその調製法

Inventor： フリューリアル,ジァン・ピエール ,  ケイラット,スィアリ、エフ ,  ボーシュチェフスキー,アリグズァーンダ
Applicant, Patent owner： キャリフォーニア、インスティテュート、アヴ、テクナラジ
Agent (1)： 真田 雄造 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995505932
Publication number (International publication number)：1998510677
Application date： Jul. 28, 1994
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：

【要約】第VIII族(Co、RhおよびIr)の遷移金属(T)を、一般式TSb3を有するSbとの半導体合金として調製する。これらの半導体合金のスクッテルド鉱型結晶格子構造、およびそれらの強化された熱電特性は、熱電要素の製作に用いて、得られる熱電デバイスの効率を実質的に向上させ得る半導体材料を結果的に与える。本発明によれば、垂直勾配凝固手法、液-固相焼結手法、低温粉末焼結および/または熱間圧縮を用いることによって、望みのスクッテルド鉱型結晶格子構造を有する半導体材料を調製し得る。本発明に従って調製した選ばれた半導体材料の電気的および熱的輸送特性の測定は、高いホール移動度(最高8000cm2・V-1・s-1)、良好なゼーべック係数(300〜700°Cで最高400μVK-1)、および低い熱伝導率(15mW/cmKの低さ)を示した。Co、Rh、IrおよびSbの元素混合物から調製した半導体材料の輸送特性を最適化することによって、そのような半導体材料から製作した熱電要素について、400°Cという高い温度での熱電性能係数(ZT)の2倍の増大が得られた。

Claim (excerpt)：

8群のAB3(Aが金属原子を含み、Bが非金属原子を含む)からなる単位胞によるスクッテルド鉱型結晶格子構造を有する第一の材料を含む熱電デバイス。

IPC (4)：

H01L 35/14 ,  C22C 19/07 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/34

FI (4)：

H01L 35/14 ,  C22C 19/07 M ,  H01L 35/32 A ,  H01L 35/34