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J-GLOBAL ID：200903012081372032

放射線検出器

Inventor： 伊藤 健一 ,  本間 克久 ,  會田 博之 ,  藤澤 晶子 ,  御子柴 佳子
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (6)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003028270
Publication number (International publication number)：2004239722
Application date： Feb. 05, 2003
Publication date： Aug. 26, 2004
Summary：

【課題】解像度及び機械的強度を向上することが可能であるとともに、画素の輝度ムラを改善することが可能な放射線検出器を提供することを目的とする。【解決手段】放射線検出器は、画素単位の光電変換素子13が複数配列してなる光電変換基板11と、光電変換基板11上に配置されたシンチレータ層39と、光電変換基板11上に形成されシンチレータ層39を画素単位に区画する区画部38と、を備えている。シンチレータ層39は、光電変換基板11上の第1シンチレータ層391と、第1シンチレータ層391上の第2シンチレータ層392と、を含み、光電変換基板11と区画部38との間には、第1シンチレータ層391が配置されたことを特徴とする。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

画素単位の光電変換素子が複数配列してなる光電変換基板と、 前記光電変換基板上に配置されたシンチレータ層と、 前記光電変換基板上に形成され、前記シンチレータ層を画素単位に区画する区画部と、 を備え、 前記シンチレータ層は、前記光電変換基板上の第1シンチレータ層と、前記第1シンチレータ層上の第2シンチレータ層と、を含み、 前記光電変換基板と前記区画部との間には、前記第1シンチレータ層が配置されたことを特徴とする放射線検出器。

IPC (5)：

G01T1/20 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L31/09 ,  H04N5/32

FI (7)：

G01T1/20 B ,  G01T1/20 E ,  G01T1/20 G ,  H04N5/32 ,  H01L31/00 A ,  H01L27/14 C ,  H01L27/14 K

F-Term (34)：

2G088EE01 ,  2G088GG13 ,  2G088GG16 ,  2G088GG19 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ37 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA02 ,  4M118CA32 ,  4M118CB11 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB22 ,  4M118GA09 ,  4M118GD15 ,  5C024AX12 ,  5C024CX37 ,  5C024GX03 ,  5F088AA01 ,  5F088BA01 ,  5F088BA03 ,  5F088BA20 ,  5F088BB07 ,  5F088EA04 ,  5F088EA13 ,  5F088GA02 ,  5F088HA15 ,  5F088HA20 ,  5F088JA17 ,  5F088LA08