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J-GLOBAL ID：200903012093469503

超電導量子干渉デバイス

Inventor： 島岡 一博 ,  吉川 修一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996176341
Publication number (International publication number)：1998022535
Application date： Jul. 05, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 超電導量子干渉素子の占有面積を減少し、高集積化を実現する超電導量子干渉デバイスを提供する。【解決手段】 超電導量子干渉素子を備えた超電導量子干渉デバイス(SQUID )において、超電導量子干渉素子のループ経路14に介設するジョセフソン接合素子13が層状結晶構造を有する高温酸化物超電導体で形成される。ループ経路14は縦型構造を採用する。ループ経路14は互いに異なる層に形成された基準電源板11と超電導体伝送路12とで構成され、この基準電源板11と超電導体伝送路12との間を接続する接続用配線として前記ジョセフソン接合素子13が使用される。ジョセフソン接合素子13は層間絶縁体薄膜15に形成された接続孔16の内部に埋設される。

Claim (excerpt)：

超電導体で形成されたループ経路中に少なくとも1つのジョセフソン接合素子を介在する超電導量子干渉素子を備えた超電導量子干渉デバイスにおいて、相互に絶縁分離され、それぞれ異なる層に形成された第1超電導体及び第2超電導体と、前記第1超電導体と第2超電導体との間に形成され、超電導体、非超電導体、超電導体のそれぞれが層状結晶構造で形成されたジョセフソン接合素子と、を備え、前記第1超電導体、第2超電導体及びジョセフソン接合素子でループ経路を形成した超電導量子干渉素子を備えたことを特徴とする超電導量子干渉デバイス。

IPC (2)：

H01L 39/22 ZAA ,  G01R 33/035 ZAA

FI (2)：

H01L 39/22 ZAA D ,  G01R 33/035 ZAA