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J-GLOBAL ID：200903012100264750
プラズマCVD装置およびプラズマCVDによる堆積膜形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996068360
Publication number (International publication number)：1997256160
Application date： Mar. 25, 1996
Publication date： Sep. 30, 1997
Summary：
【要約】【課題】 大面積の基体上に膜厚および膜質が極めて均一で高品質な堆積膜を高速度で形成し、効率よく半導体デバイスを形成し得るプラズマCVD装置、及びプラズマCVDによる堆積膜形成方法を提供する。【解決手段】 (1)高周波電源の発振周波数が30〜600MHzの範囲に制御可能であり、(2)整合回路とカソード電極とが伝送線路を介して接続され、該伝送線路を介して高周波電力が伝送され、(3)カソード電極が棒状の導電性構造体であり、且つ、該カソード電極と前記伝送線路の内部導体との接続部において、カソード電極の断面の外部形状と内部導体の断面の外部形状とが同一であり、(4)カソード電極と伝送線路の内部導体との少なくとも接続部分が、伝送線路の断面における伝送媒体の外部形状と同じ外部形状を有する誘電体部材によって被覆されていることを特徴とするプラズマCVD装置。
Claim (excerpt)：
減圧可能な反応容器、該反応容器内にプラズマCVDの原料ガスを供給する原料ガス供給手段、前記反応容器内に配された基体保持手段およびカソード電極、並びに高周波電源を有し、該高周波電源で発生させた高周波電力を整合回路を介して前記カソード電極へ供給し、前記基体保持手段により保持される基体と前記カソード電極との間にプラズマを発生させて基体に堆積膜を形成するプラズマCVD装置において、1)前記高周波電源の発振周波数が少なくとも30〜600MHzの範囲に制御可能であり、2)前記整合回路と前記カソード電極とが伝送線路を介して接続され、該伝送線路を介して前記高周波電力が伝送され、3)前記カソード電極が棒状の導電性構造体であり、且つ、該カソード電極と前記伝送線路の内部導体との接続部において、カソード電極の断面の外部形状と内部導体の断面の外部形状とが同一であり、4)前記カソード電極と前記伝送線路の内部導体との少なくとも接続部分が、該伝送線路の断面における伝送媒体の外部形状と同じ外部形状を有する誘電体部材によって被覆されていることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (8)：
C23C 16/24
, C23C 16/44
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/285
, H01L 21/31
, H01S 3/18
, H03H 7/40
C23C 16/24
, C23C 16/44 G
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/285 C
, H01L 21/31 C
, H01S 3/18
, H03H 7/40
