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J-GLOBAL ID：200903012102205352

イオン注入方法およびその装置

Inventor： 梅村 馨 ,  川浪 義実
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995015700
Publication number (International publication number)：1996213339
Application date： Feb. 02, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 複数回のイオン注入がレジストを用いることなく行なえるイオン注入方法を提供し、また、このイオン注入方法を実現するイオン注入装置が提供する。【構成】 イオンをステンシルマスク6,6′に照射し、通過したパターンイオンビームを試料11に投射することでイオンを注入するイオン注入方法において、複数のステンシルマスクから特定のステンシルマスクを選択し、複数のドーパントイオンから特定のドーパントイオンを選択して所定の領域に所定のイオン種を注入する操作を複数回行なうイオン注入方法。【効果】 部分的に注入濃度が異なったり、注入イオン種が異なるイオン注入が、レジストを用いることなく、また、大気にさらすことなく行なえるイオン注入方法が提供でき、また、このイオン注入方法を実現するイオン注入装置が提供できる。

Claim (excerpt)：

開口パターンを有するステンシルマスクを通過したパターンイオンビームによって、フィールド内にある複数個のサブフィールドのそれぞれに対し、順次、上記開口パターンの縮小領域にイオンを導入するイオン注入方法において、上記サブフィールド毎に、複数の上記ステンシルマスクから特定のステンシルマスクを選択し、該ステンシルマスクに対応して複数のドーパントイオン種から選択した特定のドーパントイオンを注入する工程を複数回施すことを特徴とするイオン注入方法。

IPC (4)：

H01L 21/265 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/266

FI (2)：

H01L 21/265 D ,  H01L 21/265 M