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J-GLOBAL ID：200903012102962986

半導体レーザ素子

Inventor： 田中 俊明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995065546
Publication number (International publication number)：1996264881
Application date： Mar. 24, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、導波光に対する反射率の増大をもたらし、かつ導波光の高効率な光結合を可能とし、縦モードの選択性がよい複合導波路共振構造を有する半導体レーザ素子を提供するものである。【構成】 α-Al2O3基板1上に垂直な側面を有する正六角柱状の導波路共振構造を選択成長技術により作製する。これにより、該正六角柱状導波路の側面を共振器面として周回モードを共振増幅させる。導波路構造に関しては、周回モードがブリュースタ角をもって各正六角柱状導波路内において側面に入射するように設定し、配置する。【効果】 従来共振器面を作製することが困難であったAlGaInN材料において、選択成長技術を用いて正六角柱状導波路を複合集積化した導波路共振構造を作製することができる。

Claim (excerpt)：

発光素子における導波路共振構造が微小な正六角柱状の導波路領域によって構成され、かつ一つの該正六角柱状導波路領域の側面を共振器面として共振するモードでレーザ発振できる導波路共振構造を周期的に多数複合集積化しておくことにより、該複合導波路領域を次々と導波光が伝搬していき、該複合導波路領域全体において高効率で増幅されるレーザ発振モードを有していることを特徴とする半導体レーザ素子。