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J-GLOBAL ID：200903012103828043

ドライエッチング方法及びその装置

Inventor： 斉藤 聡 ,  中村 一世 ,  野中 一郎 ,  松田 謙三
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992203999
Publication number (International publication number)：1994049667
Application date： Jul. 30, 1992
Publication date： Feb. 22, 1994
Summary：

【要約】【構成】 真空下の反応室2内で半導体基板9をエッチングすると同時に、又はエッチング後のいづれかに、前記反応室2内を加熱するドライエッチング方法。【効果】 ドライエッチング工程中に発生する、チャージアップしたパーティクルや反応室2内壁及びウェハ等の放電を促進して、パーティクルの反応室2内壁やウェハへの付着を防止することができる。従って、真空中に発生するパーティクルがウェハに付着するのを防止することにより、そのウェハを用いるデバイスの劣化を防止することができるとともに、ウェハのデバイスへの歩留りを飛躍的に向上させることができる。

Claim (excerpt)：

真空下の反応室内で半導体基板をエッチングすると同時に、又はエッチング後のいづれかに、前記反応室内を加熱することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2)：

C23F 4/00 ,  H01L 21/302