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J-GLOBAL ID:200903012119593984

混合型RFプラズマ発生装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993271717
Publication number (International publication number):1995130491
Application date: Oct. 29, 1993
Publication date: May. 19, 1995
Summary:
【要約】【目的】電子プラズマ周波数に比べて充分に低い周波数(短波帯)の電源を使用して、高伝送効率で高密度のプラズマを低い、例えば、10-1Pa以下の、ガス圧で生成することの可能な混合型RFプラズマ発生装置を提供することである。【構成】混合型RFプラズマ発生装置は、上端側が部分球状に突出し、誘電体で形成された円筒状の真空容器10と、この真空容器の外側にこれを取巻くように配設された高周波コイル15とにより構成されている。この高周波コイルは、真空容器の部分球状の一端を取り囲むように形成された部分球形状の部分15aと、この部分球形状の部分に接続され、円筒状の部分を取り囲むように形成された円筒形状の部分15bとからなる。
Claim (excerpt):
一端側が部分球状に突出し、誘電体で形成された円筒状の真空容器と、この容器内に処理ガスを供給する手段と、前記真空容器の外側にこれを取巻くように配設され、部分球状の一端を取り囲むように形成された部分球形状のコイル上部並びに、この部分球形状の部分に接続され、円筒状の部分を取り囲むように形成された円筒形状のコイル下部を有する高周波コイルと、この高周波コイルに高周波電流を通電して、真空容器内に前記処理ガスを含むプラズマを発生させる手段とを具備する混合型RFプラズマ発生装置。
IPC (6):
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341
FI (2):
H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特開昭55-163848

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