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J-GLOBAL ID：200903012122822595

多層膜複合体および炭化水素部分酸化におけるその使用

Inventor： アベレス・ベンジャミン ,  ホール・リチャード・ビー ,  ゾウ・ミンヤオ
Applicant, Patent owner： エクソン リサーチ アンド エンジニアリング カンパニー
Agent (1)： 池浦 敏明
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998540584
Publication number (International publication number)：2001518045
Application date： Mar. 11, 1998
Publication date： Oct. 09, 2001
Summary：

【要約】本発明には、2つの多孔質層間に挟持された緻密質層を含んでなるイオン電子混合伝導体膜が開示されている。更に、本発明には、この膜の用途として炭化水素の部分酸化におけるその使用が開示されている。多孔質層の1つは空気に接触し、酸素イオンの発生を促進する。酸素イオンは、炭化水素に接触する第2の多孔質層まで緻密質層を通って拡散し、炭化水素の部分酸化を引き起こす。

Claim (excerpt)：

(a)約50〜50,000Åの範囲の平均細孔サイズ、約1ミクロン〜約100ミクロンの範囲の厚さ、および約0.1〜100平方メートル毎グラムの範囲の表面積を有し、かつ本質的に酸素活性化触媒からなる多孔質層と、 (b)該多孔質層に接触する第1の面と、第2の面とを有し、かつ約1〜約1,000ミクロンの範囲の厚さを有する非多孔質多成分金属酸化物膜層と、 (c)該膜層の第2の面に接触し、約0.1〜約100ミクロンの範囲の厚さ、約0.1〜約100平方メートル毎グラムの範囲の表面積を有し、かつ本質的に炭化水素部分酸化触媒からなる第2の多孔質層と、を含んでなる複合体。

IPC (8)：

C01B 3/38 ,  B01D 53/22 ,  B01D 69/12 ,  B01D 71/02 500 ,  B01J 20/28 ,  B01J 35/10 301 ,  B32B 5/32 ,  C01G 51/00

FI (8)：

C01B 3/38 ,  B01D 53/22 ,  B01D 69/12 ,  B01D 71/02 500 ,  B01J 20/28 A ,  B01J 35/10 301 G ,  B32B 5/32 ,  C01G 51/00 A