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J-GLOBAL ID：200903012147446440

レジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法

Inventor： 今 純一 ,  矢野 映 ,  渡部 慶二 ,  並木 崇久 ,  野崎 耕司 ,  五十嵐 美和 ,  丹 孝弘 ,  牧山 剛三 ,  二瓶 瑞久
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  富士通カンタムデバイス株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998209711
Publication number (International publication number)：2000039717
Application date： Jul. 24, 1998
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 電子線レジストを用いたレジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法に関し、高感度を実現することのできるレジストパターン形成方法を提供することである。【解決手段】 下地表面上に、一般式(1)を含むレジスト層を形成する工程と、【化1】....(1)前記レジスト層にエネルギビームを照射して露光する工程と、前記露光されたレジスト層を、一般式(2)を含む現像剤で現像する工程と、【化2】....(2)を含む。

Claim (excerpt)：

下地表面上に、一般式(1)を含むレジスト層を形成する工程と、【化1】....(1)前記レジスト層にエネルギビームを照射して露光する工程と、前記露光されたレジスト層を、一般式(2)を含む現像剤で現像する工程と、【化2】....(2)を含むレジストパターンの形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 569 E

F-Term (27)：

2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BF08 ,  2H025CB16 ,  2H025CB55 ,  2H025DA11 ,  2H025DA14 ,  2H025DA20 ,  2H025FA16 ,  2H025FA28 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA06 ,  2H096GA03 ,  2H096KA07 ,  5F046AA28 ,  5F046DA02 ,  5F046JA04 ,  5F046JA22 ,  5F046LA12 ,  5F046LA14 ,  5F046LA18 ,  5F046NA06