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J-GLOBAL ID：200903012149811900

絶縁膜の形成材料及び半導体装置の製造方法

Inventor： 山口 城 ,  福山 俊一 ,  中田 義弘 ,  鈴木 克己
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999083682
Publication number (International publication number)：2000277511
Application date： Mar. 26, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 耐吸湿性,耐熱性に優れた低誘電率絶縁膜を形成する。【解決手段】 ((R1,R2)Si-NR3 )n で表されるポリシラザン( R1 〜R3 は, 水素原子, アルキル基, アルケニル基, アリール基又はアルコキシル基)と,ポリシラザンと化学結合するかご型化合物とを混合して絶縁膜の形成材料とする。かご型化合物として,水酸基を付加したアダマンチル環,アルコキシ基で修飾したかご型シロキサンを用いる。

Claim (excerpt)：

下式【化1】(この式中のR1 ,R2 及びR3 は,それぞれ独立に,水素原子,アルキル基,アルケニル基,アリール基又はアルコキシ基である。)で表されるポリシラザンに,該ポリシラザンと化学結合するかご型化合物を混合して製造される絶縁膜の形成材料。

IPC (4)：

H01L 21/312 ,  C08G 77/62 ,  C08L 83/16 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/312 C ,  C08G 77/62 ,  C08L 83/16 ,  H01L 21/90 S

F-Term (23)：

4J002CP032 ,  4J002CP211 ,  4J002GQ05 ,  4J035BA12 ,  4J035CA06U ,  4J035CA061 ,  4J035FB01 ,  4J035JA03 ,  4J035JB05 ,  4J035LA03 ,  4J035LB20 ,  5F033RR23 ,  5F033SS22 ,  5F033XX00 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F058AA04 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02