Pat

J-GLOBAL ID：200903012166462979

半導体装置の製造方法

Inventor： 小林 公
Applicant, Patent owner： 山形日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995221886
Publication number (International publication number)：1997064025
Application date： Aug. 30, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】成膜初期の膜質が粗となり、層間絶縁膜としては不適当である。【解決手段】チャンバー内の基板の温度が設定温度になる迄原料ガス(TEOS)の流量を徐々に増加させながら成膜する。

Claim (excerpt)：

有機系原料ガスを用いるプラズマCVD法によりチャンバー内の半導体基板上に酸化シリコン膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記チャンバー内の前記基板の温度が設定温度になる迄前記原料ガスの流量を徐々に増加させながら成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/316

FI (3)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/316 X